Content extract
					
					Dióda  Diffúziós potenciál:  N N  U D = U T ln d 2 a  = const , ahol U T a termikus feszültség, N d a p réteg adalékolása, N a a p réteg adalékolása, n i  ni  az intrinsic félvezetőben az elektron(lyuk)sűrűség  A pn átmenet kiürített rétegében minek a töltése érvényesül? Az adalékatomok töltése (tértöltés), mivel ezek helyhez kötöttek (a töltéshordozók viszont nem). Ha növeljük a pn átmenet zárófeszültségét, a kiürített réteg szélessége nő vagy csökken? Nő, mert S = const ⋅  U D − U , ahol S a kiürített réteg szélessége, U D (=const.) a diffúziós potenciál, U a diódára kapcsolt feszültség (a zárófeszültség negatív, így S nő)  Írja fel az ideális dióda karakterisztika egyenletét!   UU   I  I = I 0  e T − 1 , U = U T ln + 1 , ahol I 0 a telítési áram, I a diódán átfolyó áram, U T a termikus feszültség, U    I0    a diódán
eső feszültség Hogyan számoljuk ki a d ióda differenciális ellenállását az ideális karakterisztika szakaszon, ha ismerjük a munkaponti áramot?  rd =   I  UT U 1 1 dU d  ⋅ = ≈ T , ahol I a munkaponti áram, U T a termikus fesz. = U T ⋅ ln + 1  = U T I dI dI  I I + I0 I  I0  +1 0 I0  Ha növeljük a pn átmenet zárófeszültségét, a tértöltés kapacitás nő vagy csökken?  CT =  const , ahol C T a tértöltési kapacitás, U D (=const.) a diffúziós potenciál, U a diódára kapcsolt feszültség A UD −U zárófeszültség nő  a gyök alatti kifejezés nő  C T csökken!  Hogyan függ a pn átmenet diffúziós töltésfelhalmozása az átfolyó áramtól?  QD = I ⋅ τ = const ⋅ I , ahol I az átfolyó áram, Q D a töltésfelhalmozódás Definiálja (rajzban) a félvezető dióda záró irányú feléledési idejét (t rr )!     Ha a pn átmenet adaléksűrűségeit megnöveljük, akkor a letörési
feszültség nő vagy csökken? Csökken, mert U L ~  UL ~  1 - lavina letörés N 0.7  1 - Zener letörés N  Sokszorozási tényező:  M =  1  −U   1 −   UL   m  , ahol U a diódára kapcsolt feszültség, U L a letörési feszültség, m értéke általában 3  Ha növeljük a pn átmenet hőmérsékletét, a záróirányú áram növekszik vagy csökken? Növekszik, kb. 77%-kal fokonként Ha a d ióda hőmérsékletét növeljük, az állandó zárófeszültség mellett mért záróáram nő vagy csökken? Növekszik, kb. 77%-kal fokonként Ha a dióda hőmérsékletét csökkentjük, az állandó nyitóáram mellett mért nyitófeszültség nő vagy csökken? Növekszik, Si:  dU  mV  V  = −1.67 ⋅ 10 −3  o  ≈ −2  dT  ° K   K  Melyik paramétere javul a diódának, ha az epitaxiális kivitelt alkalmazzuk? A soros ellenállás csökken